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工业(d)图(b)中提取的从上到下元素线分布图。互联（a）高阻态的温度依赖特性图。

网通这是缺陷型多层石墨烯在新型电子器件中的首次应用演示。气收图3TiN/AlN/Graphene/Pt在LRS状态下形成的纳米丝的结构及组成分析。(c)-(e)电导与脉冲间隔、入已宽度和振幅的关系。

押注用电0亿(b)在图（a）中蓝色区域的放大图。工业(f)C原子占据四面体间质位点。

互联图5神经突触示意图和GDs神经调控。

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